卓力達(dá)公司長(zhǎng)期供應(yīng)高精度蒸發(fā)鍍膜加工制作用的掩膜板產(chǎn)品，蒸發(fā)鍍膜加工設(shè)計(jì)，價(jià)格實(shí)惠，量大從優(yōu)。

蒸發(fā)鍍膜加工掩膜板制作加工的產(chǎn)品可以應(yīng)用于電子束蒸發(fā)，熱蒸發(fā)，磁控濺射等設(shè)備中，用來(lái)制備太陽(yáng)能電池，光電探測(cè)器，LED，激光器，場(chǎng)效應(yīng)晶體管等各種器件電極及各種薄膜材料圖形設(shè)計(jì)。
我們已與眾多如：北京大學(xué)，清華大學(xué)，中科院蘇州納米所，中科院深圳先進(jìn)院，蘭州物化的，合肥物質(zhì)所，武漢大學(xué)，華中科技大學(xué)，中科院昆明植物研究所，北京航空航天大學(xué)，山東大學(xué)，浙江大學(xué)，吉林大學(xué)，華南理工，中山大學(xué)，東南大學(xué)，蘇州大學(xué)，太原理工大學(xué)等國(guó)內(nèi)眾多的高校和科研院所以及高技術(shù)企業(yè)形成了長(zhǎng)期合作關(guān)系，積累了豐富的設(shè)計(jì)和制備經(jīng)驗(yàn)，具備諸多優(yōu)勢(shì)。
卓力達(dá)公司的蒸發(fā)鍍膜加工掩膜板制備工藝主要采用曝光腐蝕工藝（與光刻法在硅表面制備高精度的圖案類似），這種方法可以根據(jù)客戶要求靈活設(shè)計(jì)各種圖案，且制備出來(lái)的圖案尺寸標(biāo)準(zhǔn)。我們的圖案尺寸精度可以達(dá)到0.01mm以上，邊緣銳利無(wú)毛刺，開(kāi)孔直線度好，真圓度好。

在材質(zhì)的選取方面，我們選用高韌性的SUS304 H不銹鋼材料，這樣做出來(lái)的掩模板不但精度高，而且表面光滑，產(chǎn)品不易受彎折而變形，經(jīng)久耐用，同時(shí)還能夠讓掩模板與器件保持很緊密的貼合，減少陰影效果。
我們所采用的不銹鋼厚度包括0.03mm,0.05mm,0.06mm,0.08mm到1 mm的各種尺寸，采用較薄的不銹鋼制備出來(lái)的掩模板所產(chǎn)生的陰影效果會(huì)更少,擾度更可控。
本公司承接各種圖案定制，客戶最好能提供包含尺寸的CAD版設(shè)計(jì)圖。如果畫(huà)圖實(shí)在有困難，我們可以根據(jù)客戶描述來(lái)繪制，同時(shí)我們還能對(duì)客戶的掩模板設(shè)計(jì)提供一些建議。

1.下面先舉幾個(gè)蒸發(fā)鍍膜加工掩膜板的實(shí)例，后面再解釋幾個(gè)蒸發(fā)鍍膜加工掩膜板設(shè)計(jì)技巧

如果客戶自己的設(shè)備有較好的樣品架，可以只考慮做一片上面所示的單片蒸發(fā)鍍膜加工掩膜板就行。如果沒(méi)有較好的固定器件的方案，建議采用我們的疊層設(shè)計(jì)法。下面以0.1mm的柵狀電極為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

方格板的厚度可以根據(jù)器件的厚度來(lái)定制，如圖中所示的方格板就是可以放入厚度為0.5mm，邊長(zhǎng)為1*1cm的電池片共16片?？蛻暨€可以一次性設(shè)計(jì)幾個(gè)不同厚度的方格板，這樣自己就可以通過(guò)將不同厚度的方格板疊合在一起形成任意組合的厚度，以便于用于不同厚度器件的電極蒸鍍。

中間掩膜板有兩種應(yīng)用：1）把圖形復(fù)印到工作掩膜板上。2）在分步重復(fù)對(duì)準(zhǔn)儀中把圖像直接轉(zhuǎn)移到硅片上。在1X硅片步進(jìn)光刻機(jī)中，掩膜板上的圖形與投影到硅片上圖形一樣大；在縮小步進(jìn)光刻機(jī)中，掩模版上的圖形是放大的真實(shí)器件圖像。
在VLSI中，電子束曝光10X或5X的掩膜板，或直接用電子束產(chǎn)生1X 的工作掩模版

玻璃的質(zhì)量和準(zhǔn)備

用以制作蒸發(fā)鍍膜加工掩膜板玻璃必須內(nèi)部和兩表面都物缺陷。必須于光刻膠的曝光波長(zhǎng)下有高的光學(xué)透射率。被用來(lái)制作掩膜板的玻璃有好幾種，包括：a）鈉鈣玻璃b）硼硅玻璃c）石英玻璃。綠色的鈉鈣玻璃和低鈉白鈉鈣玻璃（貴50％）容易被拉制成大面積的薄張，而且表現(xiàn)出很好的質(zhì)量，它們熱膨脹系數(shù)高（93×10－ 7cm/cm°c），使得它門(mén)大大不適合在投影中應(yīng)用。在應(yīng)用中要求低的熱膨脹系數(shù)的材料，就選擇硼硅玻璃和石英玻璃（熱膨脹系數(shù)分別是37和5×10－ 7cm/cm°c）。在一些情況下，周圍溫度的變化導(dǎo)致硅片上圖形的定位錯(cuò)誤，此時(shí)就要求選擇硼硅玻璃和石英玻璃。石英圓片是超低膨脹系數(shù)的玻璃，它的熱膨脹系數(shù)非常小。石英玻璃同樣在深UV和近深UV區(qū)域內(nèi)有很高的穿透系數(shù)。石英相當(dāng)貴，現(xiàn)在傾向于發(fā)展高質(zhì)量的合成石英材料。天然石英通過(guò)火焰熔融法加工，用氧氫氣溶化巖石晶體。合成石英是用超純SiCl4，它提供寬的光投射鋁區(qū)域，低的雜質(zhì)含量和少的物理缺陷。它的應(yīng)用隨著低膨脹率和深UV的要求變得逐漸廣泛。圓片被拋光、清洗，在形成掩模圖像之前被檢查。拋光是個(gè)多重步驟，在圖片兩個(gè)表面連續(xù)不斷地分級(jí)研磨。圖片在檢測(cè)和掩模之前被清洗、沖洗、干燥。

玻璃的表面覆蓋（鉻）

下一步是在玻璃圓片上覆蓋一層材料最終形成圖形。這些材料包括乳劑、鉻和氧化鐵。乳膠不在VLSI中應(yīng)用，因?yàn)椴蝗菀卓刂凭€條寬，而且它經(jīng)不住使用和清洗。鉻是最廣泛應(yīng)用的材料，它以濺射或蒸發(fā)的方式淀積到圓片上。盡管濺射鉻比蒸發(fā)鉻的反射性強(qiáng)（不希望有的特性），但用抗反射膜可以彌補(bǔ)但用抗反射膜可以彌補(bǔ)但用抗反射膜可以彌補(bǔ)。抗反射膜包含一層薄的（200A）的Cr2O3，它降低了反射率。

掩膜板成像（光刻膠的應(yīng)用和工藝）
     

光刻膠的由于和它的后道工序用來(lái)產(chǎn)生圖像（用光學(xué)或用電子束），和在硅片上制作圖形相似，但這里應(yīng)用的光刻膠膜更薄，而且曝光裝置的型號(hào)不同。
     在制膜之前，先清洗和干燥空片，然后旋轉(zhuǎn)覆蓋上過(guò)濾過(guò)的光刻膠。在光掩膜板的制作中，應(yīng)用的光學(xué)光刻膠是AZ1370或Kodak820，或用電子束光刻膠PMMA和COP。較厚的膜導(dǎo)致線條尺寸控制和抗針孔能力的增進(jìn)；但薄光刻膜（0.2～0.3μm）的分辨率更好。
     因?yàn)楣饪棠z涂得很薄，所以只需快速前烘。曝光必須嚴(yán)格控制，因?yàn)楦叻瓷渎实你t膜導(dǎo)致駐波。光刻膠經(jīng)過(guò)光學(xué)的或電子束方式曝光。光刻膠經(jīng)過(guò)發(fā)展，典型的是應(yīng)用噴射技術(shù)。嚴(yán)格的控制顯影劑濃度和溫度以保證線條尺寸的控制是很關(guān)鍵的。這個(gè)步驟之后，對(duì)關(guān)鍵尺寸和分辨率進(jìn)行測(cè)量確保它們能符合規(guī)格，并且用掩膜版或用Nicon2I檢查產(chǎn)生的錯(cuò)誤。在刻蝕之前對(duì)光刻膠進(jìn)行后烘。
     把圖形轉(zhuǎn)移到鉻膜上大部分用濕法刻蝕完成，因?yàn)闈穹涛g對(duì)于薄的鉻膜很有效。

中間掩膜板圖形的產(chǎn)生

     在過(guò)去的十年，光學(xué)掩膜板圖形的制作（PG）領(lǐng)域取得了顯著的進(jìn)步。圖形可以方便地制作，用成象的方法或使一系列矩形圖形精確地定位到鉻片上。因?yàn)镮C設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)的圖形通常是多邊型的，它們必須被分解成矩形，稱作“分割”數(shù)據(jù)。關(guān)系圖形產(chǎn)生器（OPG）的關(guān)鍵部件是光孔（或快門(mén)），和一個(gè)可移動(dòng)的臺(tái)階?？扉T(mén)被安裝在可移動(dòng)的頭上，它可以被旋轉(zhuǎn)以獲得需要的θ值，快門(mén)尺寸能夠控制產(chǎn)生特定H、W的矩形來(lái)制作圖形。用10×的鏡頭把矩形成像到一個(gè)鍍有鉻的玻璃圓片的光敏層上。用激光控制X－Y臺(tái)面精確地定位圓片。由臺(tái)面設(shè)置光孔所定義的矩形的中心坐標(biāo)X和Y。光孔的尺寸可以控制在±7.5μm，導(dǎo)致掩膜板上尺寸的±0.75μm的不確定性（縮小10倍后）。這是關(guān)鍵尺寸的控制。如果生產(chǎn)10×的掩模板，在硅片上產(chǎn)生±0.075的誤差。除孔的尺寸產(chǎn)生的錯(cuò)誤外，還有掩模板和硅片加工時(shí)產(chǎn)生的錯(cuò)誤。由于臺(tái)階受激光控制，所以X，Y的定位錯(cuò)誤非常小。當(dāng)仍然會(huì)導(dǎo)致定位錯(cuò)誤。這樣的錯(cuò)誤導(dǎo)致成品率的下降。
     OPG的成品率依賴于掩模板的復(fù)雜程度，數(shù)據(jù)分割程序的優(yōu)化，和要求的定位精度。一個(gè)調(diào)制得很好的AZ1370機(jī)器在產(chǎn)生一個(gè)優(yōu)化的圖形時(shí)，有每小時(shí) 10,000的曝光產(chǎn)率。一個(gè)復(fù)雜的VLSI電路有超過(guò)100,000的的矩形，要求10個(gè)多小時(shí)生產(chǎn)一個(gè)掩模板。在這個(gè)期間要求溫度的變化不能大于± 0.5F，這樣才不增加定位錯(cuò)誤。掩模板的質(zhì)量不能被確定，直到鉻顯影、蝕刻后。在那時(shí)的探傷就是10小時(shí)工作的檢驗(yàn)。

電子束圖形制作

電子束曝光系統(tǒng)（EBES）起初由貝爾實(shí)驗(yàn)室在1970年開(kāi)發(fā)。用光柵掃描得到圖形。掩模版制作商業(yè)化的說(shuō)法是有意義的，而且在商業(yè)領(lǐng)域和掩膜板

光掩膜板制作缺陷用傳播光檢查。在過(guò)去，這樣的檢查是由人工用顯微鏡來(lái)完成的。當(dāng)掩模版變得越來(lái)越復(fù)雜的時(shí)候，這項(xiàng)工作由自動(dòng)化工具完成，變得更迅速也更少有錯(cuò)誤。這種系統(tǒng)能夠在全片上檢測(cè)缺陷的分布和尺寸。在光學(xué)透明襯底上，0.35μm的缺陷（例如針孔），用最先進(jìn)的設(shè)計(jì)系統(tǒng)能夠95%地檢查出來(lái)。自動(dòng)檢查系統(tǒng)能夠檢查出細(xì)小的缺陷。掩模版制造者通常把一個(gè)掩模版在自動(dòng)系統(tǒng)中檢查若干遍，以保證所有的缺陷都能夠被檢查出來(lái)。市場(chǎng)上有許多種掩模版缺陷檢查系統(tǒng)出售，包括KLA、KLARIS和CIC。
     圖形從掩膜板轉(zhuǎn)移到硅片之前最后一次檢查是用玻璃硅片，玻璃硅片上只有一些單元被曝光。一個(gè)掩膜板自動(dòng)檢查系統(tǒng)在幾分鐘內(nèi)使掩模版合格。這些玻璃硅片是硅片的復(fù)制品，通常有76、100、125、和150mm尺寸的，它的表面涂有一層鋁膜。
     修復(fù)掩膜板上的缺陷
     掩膜板上的致命缺陷顯然是不希望的，有可能因?yàn)檠谀ぐ迳嫌幸粋€(gè)缺陷而使整個(gè)掩膜板沒(méi)用。所以修復(fù)這些缺陷顯得非常有必要。已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一些掩膜板修復(fù)方法。用激光修補(bǔ)不透明的掩膜板已經(jīng)使用若干年了（即把不需要的鉻沾污去除）。一個(gè)聚焦的激光束僅僅能蒸發(fā)掉一些不需要的材料。激光蒸發(fā)可能對(duì)玻璃襯底產(chǎn)生潛在的破壞。大的鉻沾污可能需要若干激光脈沖一去除它們，如果產(chǎn)生激光灼傷，將導(dǎo)致具有復(fù)制能力的缺陷。
     保護(hù)膜
     雖然在投影復(fù)印系統(tǒng)中掩膜板的制造無(wú)缺陷（即在需要時(shí)采用修補(bǔ)技術(shù)），而且光掩膜板和硅片接觸時(shí)不產(chǎn)生破壞，但在傳遞過(guò)程中仍然可能導(dǎo)致掩模版缺陷。對(duì)于 1μm的分辨率，大得能夠引起缺陷的微粒仍然難以檢測(cè)和去除。所有在投影復(fù)印工藝中，用以保護(hù)掩膜板不致缺陷的方法仍然迫切需要。一種有效的方法是應(yīng)用保護(hù)膜。

如果想進(jìn)一步固定電池，則可以設(shè)計(jì)一個(gè)如左下角一樣的光板覆蓋到方格板上面，這樣一方面能完全將器件固定，在一些需要將掩模板豎放或反放的設(shè)備中可以讓器件不掉或松動(dòng)；另一方面還能在蒸鍍電極時(shí)防止器件背面被金屬蒸汽污染。

另外，由于掩膜板比較薄，若面積過(guò)大可能會(huì)發(fā)生一定的彎曲，客戶還可以設(shè)計(jì)如左上角所示的掩膜板固定片壓住下面的掩膜板，或者通過(guò)設(shè)計(jì)更加密集的螺絲孔，使掩膜板更加平整穩(wěn)固。 

2.下圖給出了另外一種疊層型掩模板的例子。這是用于制備有機(jī)太陽(yáng)能電池中的條狀電極設(shè)計(jì)的，照片中的第一排放置了兩片ITO玻璃片。值得指出的是，為便于用鑷子等工具對(duì)器件進(jìn)去夾取，客戶可以在固定用的方格板上設(shè)計(jì)如圖所示的半圓形缺口。

上面的掩膜板設(shè)計(jì)圖如下，其中用于固定的方格板厚度為1mm，而掩膜板的厚度為0.2mm。

  由于篇幅有限，上面只列舉了幾個(gè)簡(jiǎn)單的光刻掩膜板的設(shè)計(jì)例子，大家可以和我們聯(lián)系索要更多的圖案實(shí)例和設(shè)計(jì)技巧。后期我們將制作跟多掩膜板設(shè)計(jì)技巧和電極蒸鍍技巧

同時(shí)歡迎訪問(wèn)我們的頁(yè)面進(jìn)行更多了解：http://xinxuan88.cn

如下圖所示是各種圖案實(shí)例。

上圖為各種圖形的實(shí)例，實(shí)際上可做的圖形圖案種類更多

如下圖所示是各種柵線電極圖案及其對(duì)應(yīng)的設(shè)計(jì)圖，圖中掩膜板尺寸為9cm*9cm,柵線最小尺寸為0.05mm。

蒸發(fā)鍍膜加工掩膜板對(duì)縫隙的要求比較高，不可以在縫隙中產(chǎn)品毛剌，凸點(diǎn)，缺口，否則會(huì)對(duì)掩膜圖形產(chǎn)生擾度 

以上為各種的蒸發(fā)鍍膜加工掩膜板圖紙和實(shí)物相應(yīng)的對(duì)照?qǐng)D，即用我們的蝕刻工藝，可以最大程度的節(jié)省成本，完成掩膜板的制作。 

在IC加工過(guò)程中，需要使用中間掩膜板和光刻掩膜板。我們定義中間掩膜板是為整個(gè)基片曝光而必須分步和重復(fù)的包含圖像的工具。通常圖像的尺寸被放大到基片上圖像的2倍到20倍，但在一些情況下也用相等的圖像。光掩膜板被定義為在一次曝光中能把圖形轉(zhuǎn)移到整個(gè)硅片中（或另一張光掩模版上）的工具。

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